Simcenter FLOEFD
T3STER/MICRED Auto Calibration
T3STER/MICRED オート キャリブレーション
Simcenter FLOEFD T3STER/MICREDオートキャリブレーションは解析データの精度を向上させることに貢献します
シミュレーションで使用される半導体パッケージの特性データは 内部構造に関する情報が不足しているため 通常は現実と異なっていることが一般的です
市場をリードするT3STER/MICRED熱過渡測定システムにより 真のパッケージ内部構造と材料特性を含む構造関数を取得し これをフィードバックすることでさらに正確なシミュレーションを実行できます

シミュレーションモデルキャリブレーションに際して必要なもの
Simcenter T3STER 過渡熱測定装置 またはそれを利用して取得された構造関数データ
Simulation Model Calibration 
の目的
・接触熱抵抗の特定
・構成要素の物理特性(材質)の特定
・開発初期でのシステム全体の解析精度向上
・信頼性評価・故障解析
・電気回路解析と熱解析の連携
・モデルの低次元化(ROM化)による解析時間の短縮 など
 -他にも様々な目的が考えられます-
Model Calibrationに
必要なもの
・T3STER・POWERTESTERによって測定された過渡熱測定の結果(構造関数)
・キャリブレーション対象となるデバイス・コンポーネントの解析モデル
  デバイスの内部構造(各要素の寸法・形状)
   わかるところは詳細に再現しておく
   わからないところは変数にしてキャリブレーションの対象にする
・モデル内の構成要素の既知の物理特性
  材料の物性値(熱伝達率、比熱、比重)
   わかるところは事前に洗い出しておく
   わからないところは変数にしてキャリブレーションの対象にする
 -不明なパラメータが多いほど、キャリブレーションの難易度はあがります-